4月15日下午，由tyc33455cc太阳成集团研究生院主办、太阳成集团tyc33455cc承办的江南讲坛第一百八十四讲暨 IC 科技论坛第二十五期在太阳成集团tyc33455ccA116报告厅顺利举行。本次报告由太阳成集团tyc33455cc院长顾晓峰教授主持，南京大学电子科学与工程学院叶建东教授应邀作题为“氧化镓超宽禁带半导体异质结构与器件”的学术报告。报告紧扣材料特性、物相调控、界面控制和器件集成等核心主线，系统阐述了超宽禁带半导体的技术优势、氧化镓材料研究现状、关键科学问题与产业化发展前景。

报告中，叶教授结合团队在宽禁带半导体领域多年的研究成果，详细介绍了氧化镓作为新一代超宽禁带材料的突出优势。该材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场、可制备大尺寸单晶、成本低廉等特点，在功率器件、射频器件及光电子器件等领域具有不可替代的应用价值。同时，叶教授也客观指出了氧化镓材料面临的核心挑战：p型掺杂困难、电子迁移率偏低、热导率极低、缺陷密度较高等问题，均是当前研究亟待突破的关键瓶颈。

围绕氧化镓研究的核心技术方向，叶教授从五大维度展开深入讲解：一是氧化镓多晶型调控，实现α、κ、β、γ等不同物相的稳定制备与异质结构构建；二是异质外延技术，通过晶格失配应变工程实现高质量薄膜生长与位错密度控制；三是缺陷识别与界面调控，精准定位深能级缺陷，并通过复合处理工艺抑制漏电、提升器件性能；四是噪声与辐照可靠性研究，揭示散粒噪声与闪烁噪声来源，建立抗辐照加固方案；五是高性能器件与模组开发，成功研制高压功率器件、高频射频器件、辐射探测器及功率模块等原型器件。

面向我国第三代半导体产业的战略需求，叶教授在报告中重点展示了团队的突破性成果：基于应变调控实现亚稳相氧化镓的精准物相工程，通过界面优化解决缺陷与漏电问题，依托异质集成突破低热导率瓶颈；团队研制出击穿电压超2400V的功率二极管、截止频率达70GHz的射频器件、单粒子烧毁电压超1400V的抗辐照器件以及1200V/100A功率模组，为氧化镓从实验室研究走向产业化应用奠定了重要基础。

本次报告帮助与会师生系统把握氧化镓超宽禁带半导体的前沿进展、物理机制与应用前景，为材料设计、器件工艺、集成封装等研究方向提供了清晰的科研思路，也为学院在宽禁带半导体、功率电子、射频器件等领域的学科建设与人才培养提供了重要参考，助力我国第三代半导体核心技术自主创新与产业高质量发展。互动交流环节中，师生围绕氧化镓器件制备、性能提升及产业化射频器件发展方向等问题踊跃提问，叶教授结合前沿研究与技术积累逐一细致解答，现场学术氛围浓厚，有效拓宽了师生的科研视野与创新思路，进一步推动了校院间在宽禁带半导体领域的学术交流与合作。

讲坛现场

叶建东教授担任主讲嘉宾

参会师生与嘉宾探讨交流（一）

参会师生与嘉宾探讨交流（二）